產(chǎn)品名稱(chēng)：二手蔡司場(chǎng)發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2024-09-05
產(chǎn)品特點(diǎn)：二手蔡司場(chǎng)發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25系列產(chǎn)品配備有經(jīng)過(guò)改進(jìn)的第三代GEMINI®鏡筒、概念新穎的樣品臺(tái)、智能化硬件控制板和新型高效率的透鏡內(nèi)二次電子探測(cè)器。SUPRA™系列場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡是卡爾蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部的納米技術(shù)系統(tǒng)部向市場(chǎng)推出的功能最多的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡。具有當(dāng)前儀器所具有的所有特征：如在圖像質(zhì)量超高分辨率、工作電壓切換方便、出色的束流穩(wěn)定性、全分析型樣品室。
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
二手蔡司場(chǎng)發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25 SUPRA™系列的多種儀器提供了全面的成像解決方案，可滿(mǎn)足半導(dǎo)體、材料分析、藥品制造和生命科學(xué)等領(lǐng)域中苛刻的應(yīng)用要求。對(duì)于不導(dǎo)電樣品，采用可變壓力（VP）技術(shù)的增強(qiáng)型可變壓力二次電子探測(cè)器（VPSE）可以得到的圖像和分析結(jié)果。GEMINI®鏡筒具有成像能力，尤其是在工作電壓低于1kV時(shí)成像能力尤為出色，這就使得SUPRA™成為適合所有納米科學(xué)應(yīng)用的成像工具。
主要特點(diǎn)：
? 在整個(gè)電壓范圍內(nèi)的超高分辨率，
? 電壓范圍至0.1 kV，所需調(diào)整極少,
? 高束流，高穩(wěn)定性，
? 高效In-lens二次電子檢測(cè)器，可實(shí)現(xiàn)高分辨率的表面成像，
? 增強(qiáng)型VPSE探測(cè)器，可實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電試樣的成像
? 基于Windows® XP的SmartSEM™控制軟件，操作簡(jiǎn)便
這是由于在掃描電鏡中，當(dāng)電子束源源不斷的轟擊到樣品上時(shí)，入射電子的電流等于二次電子電流、背散射電子電流、樣品接地電流和荷電電流的總和。對(duì)于導(dǎo)電性能好的樣品，入射電子束產(chǎn)生的荷電電荷通過(guò)接地導(dǎo)走，不存在表面荷電現(xiàn)象。而對(duì)于導(dǎo)電性能不佳的樣品，其接地電流幾乎為零。當(dāng)樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和小于入射電子數(shù)時(shí)，樣品表面呈負(fù)電位，在負(fù)電場(chǎng)的作用下使電子獲得加速，更多的電子被探測(cè)器接收到，二次電子圖像發(fā)亮;當(dāng)樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和多于入射電子數(shù)時(shí)，樣品表面呈正電位，正電場(chǎng)將電子吸引回樣品內(nèi)，使探測(cè)器中接收到的電子數(shù)量減少，二次電子圖像呈現(xiàn)局部發(fā)黑的現(xiàn)象。如圖1a所示，用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)拍攝不導(dǎo)電的碳纖維形貌，采用10kV的加速電壓，樣品出現(xiàn)了非常嚴(yán)重的荷電現(xiàn)象，圖像同時(shí)表現(xiàn)出局部發(fā)亮和發(fā)黑的情況。
二手蔡司場(chǎng)發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25 應(yīng)用范圍
目前最常見(jiàn)的減輕荷電現(xiàn)象的方法是通過(guò)離子濺射或蒸鍍的方法，在樣品表面沉積或鍍上一層比較均勻、細(xì)膩的金屬層，從而增加樣品的導(dǎo)電性。但該方法仍然不能有效解決樣品出現(xiàn)荷電現(xiàn)象的問(wèn)題，還可能掩蓋樣品的真實(shí)結(jié)構(gòu)。場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡具有良好的發(fā)射電流穩(wěn)定度和優(yōu)異的低壓圖像質(zhì)量。一般加速電壓范圍在1kV～30kV分檔或連續(xù)可調(diào)。加速電壓的高低決定了入射電子束能量的高低，從而影響了入射電子的擴(kuò)展范圍。使用低加速電壓，由于其電子束能量低、作用范圍小，激發(fā)出的二次電子能量少，不僅可以減少對(duì)樣品的損傷，還能有效的減少樣品表面荷電現(xiàn)象，更適合觀測(cè)不導(dǎo)電樣品。
以上述的碳纖維為例，將加速電壓降至5kV，荷電現(xiàn)象明顯減輕(圖1b)，進(jìn)一步將加速電壓降至2kV，基本消除了荷電現(xiàn)象(圖1c)。同時(shí)，使用低加速電壓時(shí)，入射電子與樣品的作用深度較淺，激發(fā)出的二次電子主要來(lái)源于樣品入射區(qū)極表層，更有利于觀察樣品的淺表面結(jié)構(gòu)，對(duì)樣品的損傷也較小。
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